Si-Press (Prof. Dr. Ronald Eisele)

Elektronische Baugruppen wie Halbleiter und Sensoren, aber auch passive Komponenten bis hin zu Kontakten werden heute fast ausschließlich gelötet oder geklebt. Sind diese Baugruppen oder Bauelemente thermisch und/oder mechanisch stark beansprucht, ist bereits nach wenigen Temperatur- und Lastwechseln die Funktion beeinträchtigt. Die gelöteten oder geklebten Verbindungen verspröden rasch und es entstehende Risse, welche die elektrische, thermische und mechanische Leistung verschlechtern.

Das Projekt hat das Errichten eines Forschungslabors für Silbersintertechnik zum Ziel. Die neuartige Technologie  für die Verbindung von elektronischen Bauelementen auf Substraten ist eine viel versprechende Alternative für das herkömmliche Lötverfahren. Die Vorteile dieser Technik sind: die hohe Arbeitstemperatur bis 960°C und sehr gute elektrische und thermische Ankopplung.

Im Rahmen des Si-Press-Projektes ist die Herstellung von Leistungsmodulen (Si-Chip auf DCB-Substrat und DCB-Substrat auf Cu-Bodenplatte) möglich, wobei alle Kontakte ausschließlich in Silbersintertechnik ausgeführt werden. Die restlichen Prozesse (Bonden, Gehäuse) werden bei dem Kooperationspartner Danfoss Silicon Power durchgeführt.